电输运测量是表征固态材料电子行为的核心手段。通过分析载流子在不同温度、磁场及栅压下的散射机制，研究人员可以深入探索二维材料、超导材料及拓扑量子器件的物理特性。

南京大学王肖沐、刘波教授团队联合北京理工大学与西北工业大学等研究人员在研究中使用赛恩科学仪器（SSI）的锁相放大器OE1022精确检测受干涉仪调制的微弱光电流。

浙江大学俞滨教授与香港理工大学柴扬教授等团队在综合性学术期刊《The Innovation》上发表题为“Conductive dendrite engineering of single-crystalline two-dimensional dielectric memristors”的研究成果。该研究通过在单晶二维介电材料六方氮化硼（h-BN）中进行导电树枝晶工程，成功解决了忆阻器领域极具挑战的“功耗-保持力（power-retention dilemma）”两难问题。该器件实现了打破纪录的26mV超低设定（Set）电压和4fW的极低待机功耗，同时保持了长达10年以上的非易失性数据保持能力。

中国科学院合肥物质科学研究院盛志高教授团队与荷兰Radboud大学A.V. kimel教授团队等在国际权威综合性期刊《National Science Review》上发表题为“Acceleration of ultrafast demagnetization in van der Waals ferromagnet Fe3GeTe2 in high magnetic field”的研究成果。

利用声表面波（SAW）技术探测扭曲双层石墨烯（TBG）的量子相变，需高精度测量微弱的SAW电压信号（频率259.75 MHz）。传统电输运测量无法检测低电导态（如不可压缩态），而OE2052通过高灵敏度锁相检测解决了这一难题。

电传输测量是一种基本的材料表征技术，可以深入了解固态材料的散射机制和能带结构。正如量子力学所描述的，宏观载流子传输是电子材料特性的最基本概念之一，在低维系统和低温下具有显着的栅极可调效应。

霍尔效应是电磁效应的一种，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。霍尔效应广泛应用于材料表征和磁场感应。

2025年，同济大学程鑫彬教授和江涛教授团队在nature communications发表了一篇题为“Engineering shear polaritons in 2D twisted heterostructures”的文章，探究了一种新型的HShPs(hyperbolic shear polaritons,双曲剪切极化子)的动态实时重构手段，通过扭转双层α-MoO₃（一种二维材料）结构，人工引入剪切效应，实现HShPs的可控激发与调控。

2022年，南京大学王肖沐教授和施毅教授团队在nature communications发表了一篇题为“Quantum criticality of excitonic Mott metal-insulator transitions in black phosphorus”文章，报道了黑磷中激子Mott金属-绝缘体转变的光谱学和传输现象。

2023年，中国科学院金属研究所马秀良研究院、朱银莲研究院团队在ACS Applied Materials & Interfaces发表了一篇题为“Achieving High-Temperature Multiferroism by Atomic Architecture”文章，报道了一种耦合了高温磁性与电压可切换铁电性的单相多铁电体材料。利用脉冲激光沉积技术制备出了具有均匀渗透开壳dⁿ轨道的单晶薄膜，由具有B位的铁阳离子组成，根据原子分辨化学分析其在置换铁电性PbTiO₃晶格中表现出长程自旋有序性。